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[单选题]

光敏三极管工作时()。

A.基极开路、集电结反偏、发射结正偏

B.基极开路、集电结正偏、发射结反偏

C.基极接电信号、集电结正偏、发射结反偏

D.无变化

答案
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第1题

三极管的击穿电流ICEO是()。

A.基极开路时的集电极电流

B.发射极开路时的集电极电流

C.基极短路时的集电极电流

D.发射极短路时的集电极电流

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第2题

当基极电流IB较大时,集-射极电压UCE接近0,集电极电流IC达到最大值,此时三极管处在()状态。

A.饱和

B.放大

C.截止

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第3题

基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流,叫晶体管的穿透电流。()
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第4题

工作在放大状态中的三极管,已经测得其三个引出端的电位分别为3.5V、6.6V和2.8V。则对应3.5V引出端的电极名称为:()

A、集电极c

B、射极e

C、基极b

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第5题

晶体三极管的穿透电流Iceo是指在共射极运用状态下,基极开路时的集电极与发射极之间的()。

晶体三极管的穿透电流Iceo是指在共射极运用状态下,基极开路时的集电极与发射极之间的()。

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第6题

测得三极管基极电流为30微安时,集电极电流为2.4毫安; 基极电流为40微安时,集电极电流为3毫安,则该管 的交流 电流放大系数为() 。

A.60

B75

C80

D100

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第7题

晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时()的()允许电压值,BUCEO随温度的增高()。

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第8题

晶体管的穿透电流ICEO是在基极开路时,由()流向()的电流。它是由—()产生的,随温度的增高()。

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第9题

某权电流型DAC的原理图如图所示,试分析其工作原理。其中,采用多发射极晶体管(VT3~VT0)保证所有三极管的发射

某权电流型DAC的原理图如图所示,试分析其工作原理。其中,采用多发射极晶体管(VT3~VT0)保证所有三极管的发射结压降相等,采用倒T形电阻网络产生所需的恒流源;偏置电流IBO的作用是为VTR、VTC、VT3~VT0提供必要的基极偏置电流。

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第10题

三极管的集电极电流比基极电流大()倍。

三极管的集电极电流比基极电流大( )倍。

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第11题

在功放管的极限参数中,集电极最大允许耗散功率PCM是集电极最大电流ICM与基极开路时集电极一发射极间反向击穿电压V(BR)CEO的乘积。()此题为判断题(对,错)。
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