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[单选题]

兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加而引起的()

A.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+

B.Ca2+和K+

C.Na+、K+、Cl-,尤其是K+

D.Na+、K+、Cl-,尤其是Cl-

E.K+和Cl-,尤其是Cl-

答案
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更多“兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加而引起的()”相关的问题

第1题

下列哪点为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征?()

A、突触前膜均去极化

B、突触后膜均去极化

C、突触前膜释放的递质性质一样

D、突触后膜对离子通透性一样

E、产生的突触后电位的最终效应一样

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第2题

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。

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第3题

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对__________、__________尤其是__________通透性升高而去极化所
致。

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第4题

兴奋性递质可导致突触后膜产生去极化效应,产生的后电位称为兴奋性突触后电位。()此题为判断题(对,错)。
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第5题

兴奋性突触后电位主要是由于突触后膜对下列哪些离子通透性提高( )

A.Na+和K+,尤其是K+

B.Ca2+和K+,尤其是Ca2+

C.Na+和K+,尤其是Na+

D.K+和Cl-,尤其是Cl-

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第6题

兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()

A、Na+、K+、Cl-,尤其是K+

B、Na+、K+,尤其是Na+

C、K+、Cl-,尤其是Cl-

D、K+、Cl-,尤其是K+

E、Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

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第7题

化学突触中的信息作用到突触后膜上的受体,转化为后膜的电位变化。请简要说明兴奋性突触后电位是怎样产生的?

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第8题

兴奋性突触后电位是突触后膜对______,尤其是______的通透性增加而形成的。
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第9题

兴奋性突触后电位是突触前膜释放兴奋性递质,后膜对K+和Cl-的通透性增加引起的。()

兴奋性突触后电位是突触前膜释放兴奋性递质,后膜对K+和Cl-的通透性增加引起的。( )

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第10题

兴奋性突触后电位提高了突触后膜对Na离子和CI离子的通透性引起的。()
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第11题

兴奋性突触后电位是_______递质作用于突触后膜上的受体,主要提高突触后膜对_______的通透性,从而导致局部膜的_______。

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