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[主观题]

电路如图题3.4.10所示,D为硅二极管,VDD=2V,R=1kΩ,正弦信号vS=50sin(2π×50t)(mV)。(1)静态(vS=0)时,求二极管

电路如图题3.4.10所示,D为硅二极管,VDD=2V,R=1kΩ,正弦信号vS=50sin(2π×50t)(mV)。(1)静态(vS=0)时,求二极管中的静态电流和vo的静态电压;(2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和vo的交流电压振幅;(3)求输出电压vo的总量。

电路如图题3.4.10所示,D为硅二极管,VDD=2V,R=1kΩ,正弦信号vS=50sin(2π×

答案

(1)静态时,二极管是导通的。利用恒压降模型可求得二极管静态电压电流:
VD=0.7V
输出电压的直流分量为
Vo=IDR=1.3×1=1.3(V)
(2)Idm=Vsm/(rd+R)=50/1.02≈49μA
(3)输出电压vo
vo=Vo+vo=1.3+0.049sin(2π×50t)(V)

更多“电路如图题3.4.10所示,D为硅二极管,VDD=2V,R=1kΩ,正弦信号vS=50sin(2π×50t)(mV)。(1)静态(vS=0)时,求二极管”相关的问题

第1题

已知硅二极管电路如图1.2.8(a)所示,试求电路中的电流I。

已知硅二极管电路如图1.2.8(a)所示,试求电路中的电流I。

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第2题

开方运算电路如图3.4.10所示。已知电路中的vi<0,电阻R1=R2=R,乘法器满足vz=vxvy,求输出电压vo与输
入电压vi的关系。

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第3题

图题6.5(a)所示施密特触发器电路中的二极管是锗二极管,其正向压降为0.2V,当输入电压波形如图题6.5(b)时,画

图题6.5(a)所示施密特触发器电路中的二极管是锗二极管,其正向压降为0.2V,当输入电压波形如图题6.5(b)时,画出电路的输出波形。

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第4题

反相(反极性)型开关稳压电路的主回路如图题10.3.3所示,已知V1=12V,VO=-15V,控制电压vG为矩形波,电路中L、C为

反相(反极性)型开关稳压电路的主回路如图题10.3.3所示,已知V1=12V,VO=-15V,控制电压vG为矩形波,电路中L、C为储能元件,D为续流二极管。(1)试分析电路的工作原理;(2)已知VI的大小和vG的波形,画出在vG作用,以及整个开关周期iL连续情况下,vD、vDS、vL、iL和vO的波形,并说明vO和vI极性相反。

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第5题

电路如图题10.3.1所示,开关调整管T的饱和压降VCES=1V,穿透电流ICEO=1mA,vT为幅度为5V、周期为60μs的三角波,

电路如图题10.3.1所示,开关调整管T的饱和压降VCES=1V,穿透电流ICEO=1mA,vT为幅度为5V、周期为60μs的三角波,它的控制电压vB为矩形波,续流二极管D的正向电压VD=0.6V。输入电压VI=20V,vE脉冲波形的占空比q=0.6,周期T=60μs,输出电压VO=12V,输出电流IO=1A,比较器C的电源电压VCC=±10V,试画出电路中,当在整个开关周期iL连续的情况下vT、vA、vB、vE和vO的波形(标出电压的幅度)。

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第6题

某铁心变压器如图3.4.10所示,已知原边电压有效值为220V,匝数n1=600匝,要求两个副边绕组电压有效值分别为6.3

某铁心变压器如图3.4.10所示,已知原边电压有效值为220V,匝数n1=600匝,要求两个副边绕组电压有效值分别为6.3V和5V。试问副边绕组的匝数n2和n'2各为多少?

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第7题

如图13.4.4所示电路中,VD为理想二极管。试求:

如图13.4.4所示电路中,VD为理想二极管。试求:

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第8题

如图13.8.3所示电路中的电流I。图中VD为理想二极管。

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第9题

如图13.9.13所示电路中,已知VD为理想二极管,uC(0-)=0,求t≥0时的uC(t),并画出其波形图。

如图13.9.13所示电路中,已知VD为理想二极管,uC(0-)=0,求t≥0时的uC(t),并画出其波形图。

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第10题

在如图题2.2所示的申.路中,若输入为矩形脉冲信号,其高、低电平分别为4V和1V。求二极管T和二极管D分别在高、低
电平下的工作状态及相应的输出电平VO

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第11题

(浙江大学2006年考研试题)电路如图4一53所示,VD为理想二极管,试求:(1)ab以左端口的戴维南等效电

(浙江大学2006年考研试题)电路如图4一53所示,VD为理想二极管,试求:(1)ab以左端口的戴维南等效电路;(2)求Uab及I的值。

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