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第1题
兴奋性突触后电位（)
A.是发生在突触后膜上的去极化型局部电位
B.主要是由Na内流引起的
C.具有“全或无”的性质
D.具有较长的不应期
E.可使突触后神经元的兴奋性增高或爆发AP
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第2题
兴奋性突触后电位是_______递质作用于突触后膜上的受体，主要提高突触后膜对_______的通透性，从而导致局部膜的_______。
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第3题
突触前抑制的轴－体突触处，突触后电位变化特征为（)
A、兴奋性突触后电位绝对值增大
B、兴奋性突触后电位绝对值减少
C、抑制性突触后电位绝对值减少
D、抑制性突触后电位绝对值增大
E、突触后电位变化不大
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第4题
AP经过突触，在突触后膜上产生的电位变化是（)
A.AP
B.阈电位
C.发生器电位
D.EPSP
E.IPSP
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第5题
脑电波的形成机制是大量皮层神经无同时发生（)
A、工作电位
B、诱发电位
C、兴奋性突触后电位
D、抑制性突触后电位
E、突触后电位同步总和
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第6题
兴奋性突触后电位是由于突触后膜对__________、__________尤其是__________通透性升高而去极化所
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第7题
抑制性突触后电位是_______递质作用于突触后膜上的受体，使后膜上_______的通道开放，该离子_______，从而使膜电位发生_______。
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第8题
抑制性突触后电位（)
A、是局部去极化电位
B、具有全或无性质
C、是局部超极化电位
D、是突触前膜递质释放量减少所致
E、是突触后膜Na+通透性增加所致
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第9题
对于N型受体的叙述，下列哪一项是错误的？（)
A、居于胆碱能受体
B、能与毒覃碱发生特异性结合
C、存在于交感神经节内神经元的突触后膜上
D、存在于副交感神经节内神经元的突触后膜上
E、其阻断剂为筒箭毒
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第10题
兴奋性突触后电位属于（)
A、动作电位
B、阈电位
C、局部电位
D、静息电位
E、后电位
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第11题
突触前抑制是前膜发生（)化，释放的兴奋性递质，使突触后膜的神经元兴奋性（)。
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