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[单选题]

要使Fe(Ⅲ)的八面体形配合物为高自旋的,则分裂能△o和电子成对能P所应满.足的条件是( )

A.△o<P

B.△o=P

C.△o>P

D.可以是任何值

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更多“要使Fe(Ⅲ)的八面体形配合物为高自旋的,则分裂能△o和电子成对能P所应满.足的条件是() A.△o<P B.△o=P C.”相关的问题

第1题

Fe3+具有d5电子构型,在八面体场中要使配合物为高自旋态,则分裂能△和电子成对能P所要满足的条件是()

(A) △和P越大越好

(B) △>P

(C) △

(D) △="P

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第2题

根据晶体场理论,具有下列 d 电子数目的过渡金属离子的 d 电子排布方式和晶体场稳定化能分别为
:d 4 ,形成高自旋八面体配合物时为________和________;d 6 ,形成低自旋八面体配合物时为________和________。

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第3题

若中心原子价层d轨道电子数为1,或2、3,能否只根据磁矩数据判断其形成的八面体配合物为外轨或内轨型?由此可知
,将“外轨型配合物”与“高自旋配合物”混同,将“内轨型配合物”与“低自旋配合物”混同,是否正确?
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第4题

由于 CN - 离子半径大,电场弱,所以由 CN - 作配体形成的过渡金属八面体配合物都是高自旋配合

由于 CN - 离子半径大,电场弱,所以由 CN - 作配体形成的过渡金属八面体配合物都是高自旋配合物。()

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第5题

下列对八面体配合物的有关叙述中,正确的是.()。(A)P>△ o 时形成低自旋配合物,磁矩大;(B)P&

下列对八面体配合物的有关叙述中,正确的是.()。

(A)P>△ o 时形成低自旋配合物,磁矩大;

(B)P<△ o 时形成低自旋配合物,磁矩小;

(C)P>△ o 时形成高自旋配合物,磁矩小;

(D)P<△ o 时形成高自旋配合物,磁矩大。

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第6题

在八面体场中,既能形成低自旋又能形成高自旋配合物的过渡元素的d电子数应为()。

A.1~3个

B.2~5个

C.4~6个

D.6~9个

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第7题

过渡金属离子形成八面体配合物时,既可是高自旋,也可是低自旋,而这类金属离子所具有的 d 电子
数目应为.()。

(A)d 1 ~d 3 ;

(B)d 4 ~d 7 ;

(C)d 8 ~d 10 ;

(D)没有限制。

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第8题

对于中心金属离子相同的八面体配合物,是不是低自旋配合物一定比高自旋的稳定,因为前者的LFSE大?。
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第9题

下列配体中,与过渡金属离子只能形成低自旋八面体配合物的是()。

A.F - ;

B.I - ;

C.H 2 O;

D.CN - 。

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第10题

在过渡金属离子的八面体配合物中,当 d 轨道分裂能(△ o )大于电子成对能(P)时,可形成________

在过渡金属离子的八面体配合物中,当 d 轨道分裂能(△ o )大于电子成对能(P)时,可形成________自旋配合物,配体属于________场配体。当△ o

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第11题

由于 F - 离子的半径小,电场强,所以由 F - 作配体形成的过渡金属离子八面体配合物都是低自旋

由于 F - 离子的半径小,电场强,所以由 F - 作配体形成的过渡金属离子八面体配合物都是低自旋配合物。()

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