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[主观题]

两级直接耦合放大器如下图所示。已知β1=β2=50,IC2=2mA,IBE1=0.7V,VBE2=-0.2V,VDz的稳压值为Vz=8V。计算:

两级直接耦合放大器如下图所示。已知β12=50,IC2=2mA,IBE1=0.7V,VBE2=-0.2V,VDz的稳压值为Vz=8V。计算:

两级直接耦合放大器如下图所示。已知β1=β2=50,IC2=2mA,IBE1=0.7V,VBE2=-

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第1题

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第2题

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:

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第3题

高通电路如下图所示,已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设ωc=2π×200(rad/s)。

高通电路如下图所示,已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设ωc=2π×200(rad/s)。

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第4题

电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。

电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo

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第5题

电路如下图所示。已知C=150pF,RL=1kΩ,L=780μH,线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ,Cμ=20pF。回路品质因数Qo=1

电路如下图所示。已知C=150pF,RL=1kΩ,L=780μH,线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ,Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求:

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第6题

二极管电路如下图(a)、(b)所示,已知ηd≈1,图(a)输入信号ui=Uim[1+macos(Ωt)]cos(ωct),图(b)输入信号u1=U1mcos

二极管电路如下图(a)、(b)所示,已知ηd≈1,图(a)输入信号ui=Uim[1+macos(Ωt)]cos(ωct),图(b)输入信号u1=U1mcos(Ωt)cos(ωct)、u2=U2mcos(ωct),U1m<U2m,试写出各电路输出电压的表达式,说明作用及名称。

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第7题

电路如下图所示,电路上、下完全对称,已知:u2=0.2cos(Ωt)·cos(ωct)V,u1=2cos(ωct)V,ωc为高频,Ω为低频,二极管

电路如下图所示,电路上、下完全对称,已知:u2=0.2cos(Ωt)·cos(ωct)V,u1=2cos(ωct)V,ωc为高频,Ω为低频,二极管检波效率ηd≈1。试写出uO1、uO2、uO的表达式,说明电路具有什么功能?

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第8题

测量温度的马赫-曾特尔光纤干涉仪测温原理图如下图所示。若已知光源波长λ=0.6328μm,对n=1.456的单模石英玻璃

测量温度的马赫-曾特尔光纤干涉仪测温原理图如下图所示。若已知光源波长λ=0.6328μm,对n=1.456的单模石英玻璃光纤有=5×10-7/℃。试计算在1m的光纤上,温度每变化1℃时,将有几根条纹移动。

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第9题

一个3路码分复用基带传输系统如下图(a)所示。三个地址码分别为c1=01010101;c2=00110011和c3=01100110。码序列

一个3路码分复用基带传输系统如下图(a)所示。三个地址码分别为c1=01010101;c2=00110011和c3=01100110。码序列的波形均为双极性NRZ码,码片“1”对应一1电平;“0”对应+1电平。已知接收的CDM扩频信号波形等于发送的波形,即r(t)=s(t),其中一个比特的波形如下图(b)所示。画出图中x1(t),x2(t)和x3(t)的波形,并指出在抽样时刻抽样器的输出值y1(Tb),y2(Tb),y3(Tb)发送的数据b1b2b3等于什么(1或-1)。

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第10题

已知卷积编码器如下图所示。

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第11题

已知信号s(t)的波形如下图所示。

已知信号s(t)的波形如下图所示。

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