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[主观题]

在图4-62所示CMOS集成运放内部电路中,已知各管的|VGS(th)|均为1V,λ均为0.041V-1,μnCox=20μA/V2,μpCox=10μA/

在图4-62所示CMOS集成运放内部电路中,已知各管的|VGS(th)|均为1V,λ均为0.041V-1,μnCox=20μA/V2,μpCox=10μA/V2,各管的宽长比分别为:T1,T2——120/8;T3,T4——40/8;T5,T6,T9,T10——120/8;T7,T8——80/8。试说明各管的作用。当IR=25μA时,试求总电压增益Avd=vo/vid(图中T6、T7和C为相位补偿电路,计算时可不考虑)。

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更多“在图4-62所示CMOS集成运放内部电路中,已知各管的|VGS(th)|均为1V,λ均为0.041V-1,μnCox=20μA/V2,μpCox=10μA/”相关的问题

第1题

在图4-69所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶体管的|VA|均为100V

在图4-69所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶体管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻Ri和电压增益Av

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第2题

在题7-5图所示各电路中,是否对集成运放的共模抑制比要求较高,为什么?
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第3题

在图6-26(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cφ=2pF,试求BWG、SR将它接成图6-26(b)所示的同相跟随器。试求:

在图6-26(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cφ=2pF,试求BWG、SR将它接成图6-26(b)所示的同相跟随器。试求:

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第4题

图5-23(a)所示为某集成运放的内部电路框图,它为无零三极系统,各极点角频率值由相应的R和c决定。已知R1=300kΩ

图5-23(a)所示为某集成运放的内部电路框图,它为无零三极系统,各极点角频率值由相应的R和c决定。已知R1=300kΩ,R2=30kΩ,R3=3kΩ,C1=50pF,C2=C3=5pF,|Av1|=10,|Av2|=|Av3|=102,若把它接成图5-23(b)所示的同相放大电路,为保证反馈放大器稳定工作,可采用简单电容补偿,亦可采用如图5-23(c)所示密勒电容补偿。图中gm2=Av2/R2,试求两种补偿时所需的电容值。设密勒补偿时ωp1≈ωd,各级的输入和输出电阻对电路影响忽略不计。

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第5题

在图6-22所示电路中,若集成运放的Avd、Rid、Rod为有限值,试在满足RodRidAvd的条件下,求出输出电压vO的表达式。

在图6-22所示电路中,若集成运放的Avd、Rid、Rod为有限值,试在满足RodRidAvd的条件下,求出输出电压vO的表达式。

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第6题

在图6-6所示电路中,集成运放满足理想化条件,电容上的起始电压为零。在t=0时,加到同相输入端的电压为vs=10e-t

在图6-6所示电路中,集成运放满足理想化条件,电容上的起始电压为零。在t=0时,加到同相输入端的电压为vs=10e-t/τ(mV),其中τ=5×10-4s。试求输出电压vO(t)。

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第7题

图4-89所示电路是某集成运放电路的一部分,单电源供电,T1、T2、T3为放大管。试分析:

图4-89所示电路是某集成运放电路的一部分,单电源供电,T1、T2、T3为放大管。试分析:

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第8题

试画出图6-17所示电路vO随v1变化的传输特性。设各集成运放及二极管是理想的。

试画出图6-17所示电路vO随v1变化的传输特性。设各集成运放及二极管是理想的。

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第9题

试推导图6-8所示电路中vo(t)与vs(t)之间的关系式,设各集成运放是理想的。

试推导图6-8所示电路中vo(t)与vs(t)之间的关系式,设各集成运放是理想的。

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第10题

图6-13所示为平方根电路,已知R1=R2=R3=R4,试证。设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同。

图6-13所示为平方根电路,已知R1=R2=R3=R4,试证。设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同。

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第11题

图6-4所示的电路是由满足理想化条件的集成运放所组成的放大电路,改变bR1时可以调节放大器的增益。试证该放大

图6-4所示的电路是由满足理想化条件的集成运放所组成的放大电路,改变bR1时可以调节放大器的增益。试证该放大器的增益为

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