题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
TMS320C54x的暂存器T的数据宽度是()
A.8位
B.16位
C.32位
D.40位
答案
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A.8位
B.16位
C.32位
D.40位
第4题
设n体交叉编址(低位交叉)存储器中每个体的存储字长等于数据总线宽度,每个体存取一个字的存取周期为T,总线传输周期为t,T与t的关系以及读取地址连续的n个字需要的时间分别是()。
A. T=t,T+n×t
B. T=(n一1)×t,T+n×t
C.T=n×t,T+n×t
D. T=n×t,T+(n一1)×t
第5题
由一块本征半导体锗,测得如下数据:
T(K) 333 385 455 566 714
σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400
求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关,空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2。
第6题
(1)补充各种部件之间的主要连接线,并注明数据流动方向。 (2)写出ADD @R1,@R2和SUB @R1,@R2指令取指阶段和执行阶段的信息流程。R1寄存器中存放源操作数的地址,R2寄存器中存放的是目的操作数的地址。