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[主观题]

下图各图中,分别画出了磁场B、电流I和安培力F的方向,其中正确的是 () A. B. C. D.

下图各图中,分别画出了磁场B、电流I和安培力F的方向,其中正确的是 ( )

下图各图中,分别画出了磁场B、电流I和安培力F的方向,其中正确的是  ()  A.  B.  C.

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第1题

设CPLD中某宏单元编程后电路如下图所示,图中画出了S1~S8和M1、M3编程后的连接。数据分配器S1~S8未被选中的输

设CPLD中某宏单元编程后电路如下图所示,图中画出了S1~S8和M1、M3编程后的连接。数据分配器S1~S8未被选中的输出为0。已知各乘积项如下图中所示。

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第2题

按下列要求分别写出下图所示框图中u'O(t)和uO(t)的数学表达式,说明各电路所实现的功能?已知滤波器具有

按下列要求分别写出下图所示框图中u'O(t)和uO(t)的数学表达式,说明各电路所实现的功能?已知滤波器具有理想特性,Ω为低频,ω为高频。

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第3题

图中示出射极有负反馈电阻的单管放大器,各电压、电流之间满足以下约束方程:Vo=-RcIc,Ic=βIb,,Vbe=VS-Ve,Ve=R

图中示出射极有负反馈电阻的单管放大器,各电压、电流之间满足以下约束方程:Vo=-RcIc,Ic=βIb,Vbe=VS-Ve,Ve=ReIe。画出此系统的信号流图,求转移函数(即电压放大倍数)。

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第4题

在下图中画出了几个周期序列,可利用DFS将其表示为

在下图中画出了几个周期序列,可利用DFS将其表示为

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第5题

某电路的一部分如下图所示,电压u和电流i分别为()。

A.100V,20mA

B.5V,20mA

C.50V,20mA

D.50V,10mA

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第6题

下图所示电路中,电流I=()A。

A.1

B.-1

C.0

D.3

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第7题

电路如下图所示,电流I=()A。

A.1.5

B.3

C.0

D.1

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第8题

10. 求下图所示电路的电流I<sub>0</sub>

10. 求下图所示电路的电流I<sub>0</sub>

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第9题

电感L中电流为i时,其储存能量的性质及大小为()。

A.电场能量,Li²/2

B.电场能量,Li²

C.磁场能量,Li²/2

D.磁场能量,Li²

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第10题

如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴

如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。

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第11题

在装配图中,螺旋弹簧被剖切后,不论中间各圈是否省略,被弹簧挡住的结构均不画。()
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