电路如图所示,其中Vcc=12V,Rb1=60KΩ,Rb2=20KΩ,Rc=6KΩ,Rs=200Ω,Re1=300Ω,Re2=2.7KΩ,RL=6KΩ,β=50,VBE=0.6V,电容C1,C2,Ce都足够大,电压放大倍数Av为()。
A.8.7
B.-8.7
C.-10
有一OTL功率放大电路,其电源电压Vcc=16V,RL=8Ω,在理想情况下可得到最大输出功率为()。
A.32W
B.16W
C.4W
放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V,则该三极管是()。
A.PNP锗管
B.PNP硅管
C.NPN锗管
当温度升高时,三极管的Icbo、β增加,Vbe减小。()
A.错误
B.正确
电路如图所示,其中Vcc=15V,Rb1=10KΩ,Rb2=2.5KΩ,Rc=2KΩ,Re=750Ω,RL=1.5KΩ,β=150,VBE=0.7V,电容C1,C2,Ce都足够大,该电路属于()。
A.共射组态
B.共基组态
C.共集组态
集成运放的KCMR越大,集成运放对温漂的抑制作用越好。()
A.错误
B.正确