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[单选题]

IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。

A.串联

B.并联

C.反并联

D.以上选项都不正确

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发布时间：2022-12-03

更多“IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT（)封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以”相关的问题

第1题

图4为三相电压型桥式逆变电路，采用180°导电方式工作时，若要求相序反向为U、W、V，则IGBT导通顺序为()。

A.1，2，3，4，5，6

B.1，6，5，4，3，2

C.1，3，5，2，4，6

D.1，3，5，6，4，2

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第2题

IGBT是电流控制型器件。（)

IGBT是电流控制型器件。()

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第3题

绝缘栅双极型晶体管的简称是()。

A.PowerMOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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第4题

IGBT是电流控制型器件。()

IGBT是电流控制型器件。（)

A.正确

B.错误

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第5题

IGBT存在擎住效应。()

IGBT存在擎住效应。（)

A.错误

B.正确

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第6题

下图是()的图形符号。

A、电力晶体管

B、晶闸管

C、IGBT D

D、Power MOSFET

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第7题

为了避免IGBT发生锁定现象，必须规定栅极电流的最大值( )。

为了避免IGBT发生锁定现象，必须规定栅极电流的最大值（)。

为了避免IGBT发生锁定现象，必须规定栅极电流的最大值()。

A、正确

B、错误

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第8题

IGBT是电压控制型器件。()

IGBT是电压控制型器件。（)

A.错误

B.正确

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第9题

IGBT是一种电压控制型器件。()

IGBT是一种电压控制型器件。（)

A.正确

B.错误

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第10题

变频技术中正弦脉冲宽度调制的英文缩写是()。

A.SPWM

B.IPM

C.IGBT

D.GTR

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第11题

IGBT的开关特性显示关断波形存在___________现象。

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