要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(),第二级应采用共射电路
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
第2题
有一在室温下工作的光导型PbS探测器,其内阻范围为100kΩ~200kΩ,信号的频率范围为0~1000Hz(即△f=1000Hz,f0=500Hz),Vsi为50μV~500μV,试为其设计一低噪声前置放大器,要求:Avs≥20,等效输入噪声Eni≤10μV(保证)
第3题
A、T = 600K;ΔT = 100K。
B、T = 500K;ΔT = 200K。
C、T = 500K;ΔT = 200K。
D、T = 500K;ΔT = 100K。
第6题
电路如图所示,
已知运算放大器开环电压增益为104,Rid=100kΩ,Rcm-=Rcm+=100MΩ,电容C1、C2对交流可视为短路,求输入电阻Ui/Ii为多大?
第7题
如图2.7(a)所示。已知:UDD=-24V,RG1=90kΩ,RG2=25kΩ,RG3=1MΩ,RD=RS=10kΩ,场效应管的IDSS=-2mA,UGS(off)=5V;电容 C1,C2,C3的值均足够大,对交流信号可以视作短路,信号源的内阻只Rg=100kΩ。试求:
(1) 从漏极输出时的电压放大倍数及输出电阻ro1值;
(2) 从源极输出时的电压放大倍数及输出电阻rd2值;
(3) 输入电阻ri值。
第8题
场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知:UDD=20V,Rg3=51MΩ,Rg1=200kΩ,Rg2=200kΩ,Rs=22kΩ,gm=1mA/V,试计算:
(1) 无自举电容C时,电路的输入电阻Ri;
(2) 有自举电容C时,电路的输入电阻Ri。
第9题
试分析下图所示之阻抗变换器的电压放大倍数ku、输入电阻Ri和输出电阻Ro。假设各电阻的阻值分别为R1=300kΩ,R2=100kΩ,R3=10MΩ,R4=1kΩ,R5=3kΩ,R6=42Ω(电位器);各电容的容量分别为C1=0.47μF,C2=100μF,C3=1μF;VT1型号为3D01,其gm=1.3mA/V;VT2型号为3AX31,其β=80,rbe=1.6kΩ。若电压放大倍数ku=1,求此时Ri和Ro的值。
第10题
某双积分型ADC中,计数器的最大容量N1=(5000)10,计数脉冲频率fCP=25kHz,积分器电阻R=100kΩ,电容C=1μF,输入电压VA的变化范围为0~±5V,基准电压,试求:
第11题
已知某有源二端网络接RL=200kΩ负载时,电路中的电流为0.2mA,有源二端网络的等效内阻为50kΩ,当负载由200kΩ增加到400kΩ时,有源二端网络保持不变,求负载的电流和功率(要求画出电路图,然后再进行计算)。